J. Edelbauer, C. Sinz, O. Lott, A. Nagel, W. Rimkus

Materialographische Gefügeanalyse bei der Prozessentwicklung zur Gasphasensynthese von Siliciumcarbid

Materialographic Microstructural Analysis during the Process Development for the Gas Phase Synthesis of Silicon Carbide

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Siliciumcarbid stellt einen überlegenen Werkstoff als Betriebsmittel für die Halbleiterherstellung dar. Das Projekt zur Gasphasensynthese von SiC-Bauteilen aus Kohlenstoff-Vorprodukten setzt hier an. Ausgehend von Graphitsubstraten und einer Reaktion mit thermisch verdampftem Siliziummonoxid im CVI-Prozess (chemical vapour infiltration) entsteht Siliciumcarbid mit stark prozessabhängiger Gefügeausbildung. Der Prozess kann sowohl zur Beschichtung von C-Substraten, als auch zur Herstellung von komplexen Bauteilen genutzt werden. Mit neuen Ansätzen in der Prozessentwicklung und mittels detaillierter materialographischer Gefügeanalysen wurde das Verständnis zur Gasphasensynthese vorangebracht. Die Umsetzung von verschiedenen Kohlenstoffstrukturen in entsprechende Siliciumcarbid-Strukturen wurde nachgewiesen.

Bibliographie
J. Edelbauer, C. Sinz, O. Lott, A. Nagel, and W. Rimkus (2017). Materialographic Microstructural Analysis during the Process Development for the Gas Phase Synthesis of Silicon Carbide. Practical Metallography: Vol. 54, No. 9, pp. 636-654.
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ISSN 0032-678X